旺宏電子(Macronix)將於5月18日至5月21日參加2014年IEEE國際記憶體研討會(International Memory Workshop,簡稱IMW)。IMW今年首度在台舉辦,會中將討論近年來記憶體領域最關注的先進技術如3D NAND、PCRAM、MRAM、ReRAM等先進記憶體技術。
旺宏多年來一直致力於記憶體技術的研發創新,每年在不同國際記憶體研發領域都曾發表多篇論文並入選;今年,除協助IEEE在台承辦研討會相關事務外,也將於IMW中發表2篇論文專題演講,聚焦討論旺宏於3D NAND Flash自行研發、獲全球矚目的創新技術及重要突破:
演講時間: 5月18日 星期日9:10am
演講主題: 3D Vertical Gate NAND Device & Architecture
演講時間: 5月21日 星期三2:00pm
演講主題: Trapping-free String Select Transistors and Ground Select Transistors for VG-type 3D NAND Flash Memory
IMW 主要由IEEE國際電子元件會議贊助,於每年5月舉行年度會議。此會議主要目的在於提供記憶體產業(非揮發性記憶體和揮發性記憶體)的專家學者一個互相交流的平台。隨著雲端市場以及海量數據時代的興起,記憶體技術的層面逐漸轉進運用控制器強化以及智慧管理;這個契機,造就了記憶體另一波的需求潮,相對的也使得記憶體技術開發面臨更高的挑戰。因而,近年來,IMW與會人數逐年增加,約已達到平均200人之規模,主要來自北美、歐洲、日本及亞洲等國家,且每年有逾80篇以上的投稿論文,約35篇會在會議中以口頭方式發表,主題涵蓋元件物理、矽製程、產品測試和新技術。IMW衍然已成微電子及半導體業年度盛會之一。
IMW 2014研討會議程