​​微電子元件界年度重要會議─國際電子元件大會IEDM即將於12月10日至12日於美國舊金山舉行。旺宏電子今年計有5篇論文入選，篇數再度居台灣業界之冠，其中兩篇更獲得大會評選為焦點論文（Highlight Paper）。另外，即將於2013年二月舉辦的國際固態電子電路會議ISSCC，旺宏將領先發表全球首篇6 bit/cell快閃記憶體研究成果。旺宏近年來在IEDM發表的論文篇數幾乎皆為台灣之首，其在先驅記憶體之傲人研發成果已深受國際矚目。

今年旺宏獲選為IEDM焦點論文的兩篇研究成果，其中一篇所提出的MiLC（Minimal Incremental Layer Cost）製程工法，將眾多且複雜的位線（Bit Line）以「階梯式」的架構形成對外的連接點，簡化了數據傳輸管道的安排。此製程最大優點在於大幅降低3D記憶體製造過程中所需使用的光罩數目。舉例來說，以往傳統製程每完成一個元件接腳開孔（Bit Line Contact）皆需使用一道光罩，32個接腳開孔即需32道，但利用MiLC的獨特技術，只要5道光罩即可達到同樣的效果，從降低製造成本的觀點來看，具有重大意義。

另外一篇則是探討快閃記憶體的自我缺陷修復（Self-Healing）技術。快閃記憶體在經過高壓操作重複的編寫及抹除後，材料缺陷的產生將無可避免，導致產品有一定的使用期限（以最先進的記憶體為例，約在一千次左右）。在這篇研究當中，旺宏提出一個嶄新的想法，即提供適當的電流造成區域性的熱源，藉此熱源修復材料的缺陷，不僅可恢復元件既有的功能，同時還能延長元件的壽命。此機制有如「幹細胞」之於人體，可以自我修復後天的殘障，並可使元件達到上億次編寫及抹除，約為現有先進快閃記憶體規格的十萬倍以上。由於成果傲人，因此獲得IEEE專業旗艦雜誌IEEE Spectrum十二月特以專文報導，更吸引許多國際科技媒體廣泛引用。

今年將代表旺宏再度出席與會的旺宏總經理盧志遠表示，「IEDM被視為是微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地傑出的研究成果於會中發表，旺宏12年來在IEDM發表的論文超過45篇，尤其近年來更經常成為 IEDM論文篇數發表最多的台灣企業。今年大會特別推薦的11篇焦點論文中，旺宏就佔了兩篇，甚至超越國際指標性大廠，顯示旺宏在全球先進記憶體領域的競爭實力。」

IEDM平均每年約有來自全球逾600篇一時之選的論文投稿，最後經極嚴謹的程序再評選出200餘篇於會中發表。今年台灣獲選的論文共計有21篇，旺宏入選的5篇論文，其中3篇專注在3D記憶體的議題，一篇論述快閃記憶體的自我缺陷修復技術，另一篇則是有關相變化記憶體新材料的開發。除了旺宏以外，若以第一作者計算，台灣主要論文獲選單位還包括國家奈米元件實驗室5篇、交通大學4篇及台積電4篇等等。全球則以歐洲比利時微電子研究中心IMEC的17篇最多，美國IBM發表15篇居次。

另外，旺宏曾於2006年ISSCC會中領先發表全球第一顆4 bit per cell 的1Gb Flash晶片，這項成果係當時最先進的技術。2013年旺宏即將於ISSCC發佈世界首顆採用Charge-Trapping製程之6 bit per cell 快閃記憶體，再次顯示旺宏在記憶體產業的領先地位。

IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）
IEDM每年會議中皆有來自世界各地最傑出的研究成果發表，包括半導體設計、製造、模組及電子元件等領域，因此被視為微電子界的奧林匹克國際盛會。今年共有203篇技術論文入選。進一步資訊可查詢：http://www.his.com/~iedm/

旺宏獲選為焦點論文的兩篇研究報告，相關資訊可至以下網址查詢：
● Paper#2.3, “Highly Scalable 8-Layer Vertical-Gate 3D NAND With Split-Page Bit Line Layout and Efficient Binary-Sum MiLC (Minimal Incremental Layer Cost) Staircase Contacts,” S.H. Chen et al, Macronix International
http://www.btbmarketing.com/iedm/images/images_wCaptions/2.3_Horizontal_Channels_Key_To_Ultra-Small_3D_NAND_Macronix.doc

● Paper #9.1, “Radically Extending The Cycling Endurance of Flash Memory (to >100M Cycles) by Using Built-In Thermal Annealing to Self-Heal the Stress-Induced Damage,” H.-T. Lue et al, Macronix International
http://www.btbmarketing.com/iedm/images/images_wCaptions/9.1_Self-Healing_Flash_Memories_Macronix.doc

IEEE Spectrum報導專文：
Flash Memory Survives 100 Million Cycles - IEEE Spectrum By Yu-Tzu Chiu
http://spectrum.ieee.org/semiconductors/memory/flash-memory-survives-100-million-cycles

ISSCC （IEEE International Solid-State Circuits Conference）
ISSCC為引領全球最著名的先進固態電路和系統晶片國際學術會議，被喻為IC設計界奧林匹克，每年皆吸引電子業領先廠商及頂尖 IC 設計工程師參與，為觀察半導體技術動向的重要會議。2013年ISSCC將邁入60週年，會中將有209篇論文發表。進一步資訊可查詢：http://isscc.org/index.html。


旺宏電子股份有限公司
旺宏電子為全球非揮發性記憶體整合元件領導廠商，提供跨越廣泛規格及容量的ROM唯讀記憶體、NOR型快閃記憶體以及NAND型快閃記憶體解決方案。旺宏電子以世界級的研發與製造能力，提供最高品質、創新及具備高性能表現的產品，以供客戶應用於消費、通訊、電腦、汽車電子、網通及其他等領域。
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